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北京北方华创微电子装备有限公司刘建获国家专利权

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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利上电极组件及半导体工艺腔室获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114220752B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111563611.3,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权上电极组件及半导体工艺腔室是由刘建;王炳元设计研发完成,并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

上电极组件及半导体工艺腔室在说明书摘要公布了:本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室,所述上电极组件包括射频线圈100、供电装置和过温保护装置300;所述过温保护装置300包括盒体310和温度控制件320,所述温度控制件320设置于所述盒体310上,所述盒体310开设有内腔310a,所述射频线圈100的至少部分位于所述内腔310a中,所述射频线圈100与所述供电装置通过所述温度控制件320电连接,所述温度控制件320用于检测所述内腔310a的温度,当所述内腔310a的温度大于预设温度时,所述温度控制件320断路,以使所述射频线圈100与所述供电装置断路。上述方案能够解决半导体工艺腔室的安全性和可靠性较差的问题。

本发明授权上电极组件及半导体工艺腔室在权利要求书中公布了:1.一种上电极组件,应用于半导体工艺腔室,其特征在于,所述上电极组件包括射频线圈100、供电装置和过温保护装置300; 所述过温保护装置300包括盒体310和温度控制件320,所述温度控制件320设置于所述盒体310上,所述盒体310开设有内腔310a,所述射频线圈100的至少部分位于所述内腔310a中,所述射频线圈100与所述供电装置通过所述温度控制件320电连接,所述温度控制件320用于检测所述内腔310a的温度,当所述内腔310a的温度大于预设温度时,所述温度控制件320断路,以使所述射频线圈100与所述供电装置断路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京北方华创微电子装备有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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