格芯(美国)集成电路科技有限公司B·T·库奇获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利气隙隔离结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111448157.7，技术领域涉及：H01L21/764；该发明授权气隙隔离结构是由B·T·库奇;S·P·埃杜苏米利;J·A·康塔洛夫斯基;C·E·考尔多什;刘森设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本气隙隔离结构在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及气隙隔离结构及制造方法。该结构包括：体衬底材料；第一气隙隔离结构，其位于体衬底材料中并具有第一纵横比；以及第二气隙隔离结构，其位于体衬底材料中并具有不同于第一纵横比的第二纵横比。
本发明授权气隙隔离结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 体衬底材料； 第一气隙隔离结构，其位于所述体衬底材料中并包括第一纵横比和位于所述体衬底材料的上表面处的开口；以及 第二气隙隔离结构，其位于所述体衬底材料中并包括不同于所述第一纵横比的第二纵横比和位于所述体衬底材料的所述上表面处的开口；以及 阻挡材料，其位于所述体衬底材料的所述上表面之上并且在所述第一气隙隔离结构的上表面处密封所述开口以及在所述第二气隙隔离结构的上表面处密封所述开口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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