上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司方书农获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司申请的专利KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116203796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111448787.4，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法是由方书农;王溯;耿志月设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法。具体地，本发明公开了一种以如式Ⅰ所示的化合物作为光产酸剂的KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法，主要包含涂覆、预烘烤、掩模板图案复制、再烘烤和显影等步骤。经本公开的KrF厚膜光刻胶组合物的使用方法，得到的胶膜矩形性佳。
本发明授权KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法在权利要求书中公布了：1.一种KrF厚膜光刻胶组合物的使用方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤1：将KrF厚膜光刻胶组合物涂覆在基材表面以形成光刻胶层； 步骤2：将所述的光刻胶层进行预烘烤； 步骤3：通过曝光将掩模版上的图案复制到预烘烤后的光刻胶层上； 步骤4：将曝光后的光刻胶层进行烘烤； 步骤5：向烘烤后的光刻胶层施加显影剂进行显影，即可得光刻图案； 所述的光刻胶组合物包括如式Ⅰ所示的光产酸剂； ； 式Ⅰ中，n为0、1、2或3； R1为-COOR1-1或C1-4烷基；R1-1为C1-4烷基； R2为C1-4烷基; 所述的KrF厚膜光刻胶组合物包括式Ⅰ所述的光产酸剂、光敏聚合物、三乙醇胺和溶剂； 所述的光敏聚合物为单体A、单体B和单体C进行加聚反应得到的光敏聚合物，所述的单体A为，所述的单体B为，所述的单体C为；所述的单体A、所述的单体B和所述的单体C的摩尔比为66.5:8.5:25。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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