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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利控制电路、集成电路、电子转换器以及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114567164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111421810.0，技术领域涉及：H02M3/155；该发明授权控制电路、集成电路、电子转换器以及操作方法是由S·拉莫里尼;R·P·鲍尔达设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本控制电路、集成电路、电子转换器以及操作方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及控制电路、集成电路、电子转换器以及操作方法。一种用于功率EFT的感测电路，监测流过FET的电流以及包括调节流过感测电阻的第一电流的调节电路，使得在感测电阻中的电压降与在FET端子之间的电压降相对应。测量电路提供对应于第一电路或与其成比例的第二电路。第一开关选择性的基于第一控制信号将第二电流施加到电阻器，以及低通滤波器通过滤除在控制电路处的电阻，生成低通滤波信号。电压跟随器生成低通滤波信号的复制品，以及第二开关选择性地将复制品施加到电阻器，当FET闭合时，控制电路闭合第一电子开关以及断开电子第二开关。当FET断开时，控制电路断开第一电子开关以及闭合第二电子开关。

本发明授权控制电路、集成电路、电子转换器以及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种传感器系统，包括： 功率场效应晶体管FET，包括：限定电流路径的第一导电端子和第二导电端子、以及被配置为接收驱动信号的栅极端子；以及 传感器电路，被配置为监测流过所述功率FET的电流； 其中所述传感器电路包括： 感测电阻；以及 调节器电路，被配置为： 当施加到所述栅极端子的所述驱动信号被设置为关断所述功率FET时，将流过所述感测电阻的第一电流设置为零；以及当施加到所述栅极端子的所述驱动信号被设置为接通所述功率FET时，调节流过所述感测电阻的所述第一电流，使得在所述感测电阻处的电压降对应于在所述功率FET的所述第一导电端子与第二导电端子之间的电压降； 测量电路，被配置为提供第二电流，所述第二电流与所述第一电流相对应或与所述第一电流成比例； 电阻器； 第一电子开关，被配置为根据第一控制信号选择性地将所述第二电流施加到所述电阻器； 低通滤波器，被配置为：通过对由于将所述第二电流施加到所述电阻器而产生的在所述电阻器处的电压滤波，生成经低通滤波的信号； 电压跟随器，被配置为生成所述经低通滤波的信号的复制品； 第二电子开关，被配置为选择性地将所述经低通滤波的信号的所述复制品施加到所述电阻器；以及 控制电路，被配置为： 当所述功率FET接通时，闭合所述第一电子开关并且断开所述第二电子开关，以在所述电阻器处生成与流过所述功率FET的电流的瞬时值成比例的电压；以及 当所述功率FET关断时，断开所述第一电子开关并且闭合所述第二电子开关，以在所述电阻器处生成对应于所述经低通滤波的信号的电压，并且其中所述经低通滤波的信号与在所述功率FET接通期间流过所述功率FET的电流的平均值成比例。

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