买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利数字微流控芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111385264.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权数字微流控芯片是由程鑫;刘荣跃;刘嘉泽;行亚茹;詹绍虎;李婕设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本数字微流控芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种数字微流控芯片，其包括有源矩阵薄膜晶体管阵列基板、分立式疏水膜、上盖板、沉积在上盖板底部的疏水膜以及注入所述分立式疏水膜和疏水膜之间的液滴和硅油；所述有源矩阵薄膜晶体管阵列基板包括多个高压薄膜晶体管，每个高压薄膜晶体管包括串联连接的第一TFT和第二TFT、以及串联连接第一TFT和第二TFT的源漏连接电极。本发明数字微流控芯片采用高压薄膜晶体管，高压薄膜晶体管可以提供超过200V以上的电压，有利于提高数字微流控芯片的通用性；高压薄膜晶体管可以施加AC信号，提高数字微流控芯片的使用寿命。

本发明授权数字微流控芯片在权利要求书中公布了：1.一种数字微流控芯片，其包括有源矩阵薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括位于所述有源矩阵薄膜晶体管阵列基板上的分立式疏水膜、上盖板、沉积在上盖板底部的疏水膜以及注入所述分立式疏水膜和疏水膜之间的液滴和硅油；所述有源矩阵薄膜晶体管阵列基板包括多个高压薄膜晶体管，每个高压薄膜晶体管控制一个液滴，其包括串联连接的第一TFT和第二TFT、以及串联连接第一TFT和第二TFT的源漏连接电极，第一TFT和第二TFT对称设置； 第一TFT和第二TFT均包括栅极、位于栅极上方的沟道区、分别与所述沟道区两侧接触的沟道接触电极、与位于所述沟道区一侧的沟道接触电极连接的源极以及与位于所述沟道区另一侧的沟道接触电极连接的漏极；第一TFT的漏极和第二TFT的源极连接； 所述源极的端部具有向对应沟道区的中心延伸的突出部，所述突出部为所述源极和位于所述源极下方的沟道接触电极在空间上交叠后多出的区域；所述漏极的端部也具有向对应沟道区的中心延伸的突出部，所述突出部为所述漏极和位于所述漏极下方的沟道接触电极在空间上交叠后多出的区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南方科技大学，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。