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龙图腾网获悉成都利普芯微电子有限公司申请的专利一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114035027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111329436.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法是由唐永生;黄立设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法，属于集成电路技术领域。该MBIST电路在接收到测试指令信号时，向存储器输入进行MBIST测试所需的ADR地址信号、测试数据以及时序信号，并将写入待测试地址的测试数据和存储器从待测试地址中读取的结果数据进行比较，输出该待测试地址是否测试成功的信号；ADR地址信号包括逐渐增加和逐渐减小两种模式，每种模式对应多组不同的测试数据。本申请中的ADR地址信号包括逐渐增加和逐渐减小两种模式，且每种模式对应多组不同的测试数据，进而可以组合得到多种测试模式，通过利用至少两种测试模式对存储器进行MBIST测试，可以提高存储器测试的准确性和可靠性。

本发明授权一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种MBIST电路，其特征在于，包括用于产生ADR地址信号的地址产生模块和用于产生测试数据的数据产生模块，所述MBIST电路被配置为： 在接收到测试指令信号时，向存储器输入进行MBIST测试所需的ADR地址信号、测试数据以及时序信号，并将写入待测试地址的测试数据和所述存储器从所述待测试地址中读取的结果数据进行比较，输出该待测试地址是否测试成功的信号； 所述ADR地址信号包括逐渐增加和逐渐减小两种模式，每种模式对应多组不同的测试数据; 其中,所述数据产生模块基于两次地址周期结束信号而对测试模式进行切换，所述地址周期结束信号指示所述地址产生模块已经向所述存储器输出完所有地址位；在一次MBIST测试中，所述数据产生模块在前后两个地址周期输出的数据一致，且在前一地址周期产生的数据在前一地址周期被写入所述所有地址位，后一地址周期产生的数据用于与后一地址周期从所述所有地址位读取的数据进行比较，且后一地址周期不对存储器进行数据写入。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都利普芯微电子有限公司，其通讯地址为：610093 四川省成都市高新区和乐一街71号4栋2单元19层1901；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。