长江存储科技有限责任公司石艳伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111274291.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由石艳伟设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括形成衬底，形成位于衬底上的第一栅极和第二栅极，以及分别形成于第一栅极侧壁和第二栅极侧壁的第一侧墙和第二侧墙。衬底中形成有间隔设置的高压阱区和低压阱区，第一栅极和第二栅极分别对应高压阱区和低压阱区且第一栅极的高度大于第二栅极的高度，第一侧墙的宽度大于第二侧墙的宽度。由于高压阱区对应的第一栅极的高度和第一侧墙的宽度较大，因此能够提高器件的性能，如减少栅极氧化层的损伤和热载流子效应，同时由于低压阱区对应的第二栅极的高度和第二侧墙的宽度较小，因此能够提高器件的速度，缩小器件的面积。
本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有间隔设置的高压阱区和低压阱区； 形成位于所述衬底上的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极对应所述高压阱区，所述第二栅极对应所述低压阱区，且所述第一栅极的高度大于所述第二栅极的高度； 采用沉积工艺形成覆盖所述第一栅极、第二栅极及衬底的绝缘层，所述沉积工艺形成的所述绝缘层的宽度沿远离衬底的方向逐渐减小，且所述沉积工艺形成的所述第一栅极侧壁的绝缘层的宽度大于所述第二栅极侧壁的所述绝缘层的宽度； 去除所述衬底表面、所述第一栅极顶部和所述第二栅极顶部的所述绝缘层，留下位于所述第一栅极侧壁的第一绝缘层作为第一侧墙和位于所述第二栅极侧壁的第二绝缘层作为第二侧墙，所述第一侧墙在远离所述第一栅极侧壁的方向上的宽度大于所述第二侧墙在远离所述第二栅极侧壁的方向上的宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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