铁电存储器股份有限公司J·奥克获国家专利权
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龙图腾网获悉铁电存储器股份有限公司申请的专利存储器单元布置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111244059.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器单元布置及其方法是由J·奥克设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元布置及其方法在说明书摘要公布了：提供了一种存储器单元布置，可包括：一个或多个存储器单元，一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括：电极柱，具有底面和顶面；存储器材料部，包围电极柱的侧面部；电极层，包围存储器材料部和电极柱的侧面部，其中电极柱、存储器材料部和电极层形成电容存储器结构；以及场效应晶体管结构，包括栅极结构，其中电极柱的底面面向栅极结构并导电连接至栅极结构，并且其中电极柱的顶面背向栅极结构。
本发明授权存储器单元布置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元布置，包括： 一个或多个存储器单元，所述一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括： 电极柱，所述电极柱具有底面和顶面； 存储器材料部，所述存储器材料部包围所述电极柱的侧面部； 电极层，所述电极层包围所述存储器材料部和所述电极柱的所述侧面部，其中所述电极柱、所述存储器材料部和所述电极层形成电容存储器结构，其中所述电极层包括第一电极层并且其中所述电极柱的侧面部包括所述电极柱的第一侧面部； 场效应晶体管结构，所述场效应晶体管结构包括栅极结构，其中所述电极柱的所述底面面向所述栅极结构并导电连接至所述栅极结构，并且其中所述电极柱的所述顶面背向所述栅极结构； 介电材料部，所述介电材料部包围所述电极柱的不同于所述第一侧面部的第二侧面部；以及 第二电极层，所述第二电极层包围所述介电材料部和所述电极柱的所述第二侧面部，其中所述电极柱、所述介电材料部和所述第二电极层形成电容性结构，其中所述第二电极层在所述电极柱的所述第二侧面部上的延伸高度大于所述第一电极层在所述电极柱的所述第一侧面部上的延伸高度， 其中所述介电材料部不包括存储器材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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