长江存储科技有限责任公司王溢欢获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111230488.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权三维存储器及其制造方法是由王溢欢设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器的制造方法，包括：在绝缘层上形成掩膜层，掩膜层包括第一开口和第二开口，其中第一开口贯穿掩膜层，第二开口的底部具有预设厚度的掩膜层；执行第一刻蚀，第一刻蚀对所述绝缘层和具有预设厚度的掩膜层具有第一刻蚀选择比，以经由第一开口刻蚀绝缘层至其底部，同时经由第二开口刻蚀掩膜层并暴露至少部分绝缘层；以及执行第二刻蚀，第二刻蚀对半导体层和绝缘层具有第二刻蚀选择比，以经由第一开口刻蚀半导体层，并形成贯穿绝缘层和半导体层的第一接触孔，同时经由第二开口刻蚀绝缘层，并形成暴露至少部分半导体层的第二接触孔。本申请可同时形成第一贯穿触点、第二贯穿触点和隔离结构，简化了制造工艺。
本发明授权三维存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.三维存储器的制造方法，所述三维存储器包括存储阵列结构、半导体层和绝缘层，所述存储阵列结构和所述绝缘层分别形成在所述半导体层的第一表面和相对的第二表面上，所述方法包括： 在所述绝缘层上形成掩膜层，所述掩膜层包括第一开口和第二开口，其中，所述第一开口贯穿所述掩膜层，所述第二开口的底部具有预设厚度的所述掩膜层； 执行第一刻蚀，所述第一刻蚀对所述绝缘层和所述具有预设厚度的所述掩膜层具有第一刻蚀选择比，以经由所述第一开口刻蚀所述绝缘层至其底部，同时经由所述第二开口刻蚀所述掩膜层并暴露至少部分所述绝缘层；以及 执行第二刻蚀，所述第二刻蚀对所述半导体层和所述绝缘层具有第二刻蚀选择比，以经由所述第一开口刻蚀所述半导体层，并形成贯穿所述绝缘层和所述半导体层的第一接触孔；同时经由所述第二开口刻蚀所述绝缘层，并形成暴露至少部分所述半导体层的第二接触孔。
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