中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙晓娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111211399.4，技术领域涉及：H10F55/25；该发明授权一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法是由孙晓娟;陈雨轩;黎大兵;蒋科;贲建伟;石芝铭设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法，该同质集成芯片，包括：衬底；缓冲层；LED器件，其为圆环状或圆弧状；探测器，位于LED器件内侧；本发明的集成芯片，采用圆环状或圆弧状的LED器件以及位于LED器件内侧的探测器，从方向上提高了LED出光的利用率，在有源区面积一定的情况下提高了LED和探测器侧壁的交互面积，便于探测器收集。本发明的集成芯片，在LED器件外周面设置金属反射层，同质集成芯片中LED器件的光提取效率和电光转换效率大幅提高，探测器接收的入射光通量增大，灵敏度提高，集成芯片的光耗散有效减少，从而达到提高紫外LED和探测器同质集成芯片信号转换效率和传输速度的目的。
本发明授权一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED和探测器同质集成芯片，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，其位于所述衬底一侧面； LED器件，其位于所述缓冲层远离所述衬底的侧面，所述LED器件为圆环状或圆弧状； 探测器，其位于所述缓冲层远离所述衬底的侧面且位于所述LED器件内侧；其中： 所述探测器包括依次贴合的第二n型掺杂层、第二多量子阱层和第二p型掺杂层，所述第二多量子阱层在所述第二n型掺杂层上的投影不完全覆盖所述第二n型掺杂层，所述第二n型掺杂层未被所述第二多量子阱层覆盖的表面设有第二n型电极，所述第二p型掺杂层表面设有第二p型电极。
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