深圳市硅格半导体有限公司杨继光获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市硅格半导体有限公司申请的专利纠错方法、装置、设备及计算机程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114048062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111213030.7，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权纠错方法、装置、设备及计算机程序产品是由杨继光;吴大畏;李晓强设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本纠错方法、装置、设备及计算机程序产品在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纠错方法、装置、设备及计算机程序产品，所述纠错方法应用于NandFlash作为存储器件的存储设备，所述纠错方法包括：确定待存储数据页的稳定性等级，并根据所述稳定性等级，确定对应的纠错模式；获取待存数据，并基于所述纠错模式对所述待存数据进行纠错编码得到信息码和纠错码的混合信息；根据所述稳定性等级，确定所述混合信息存储的页。本发明通过参考数据页的稳定性等级，调整纠错信息的存储位置，提高了纠错编码的纠错能力，进而提高数据存储的稳定性。
本发明授权纠错方法、装置、设备及计算机程序产品在权利要求书中公布了：1.一种纠错方法，其特征在于，应用于NandFlash作为存储器件的存储设备，所述纠错方法包括以下步骤： 确定待存储数据页的稳定性等级，并根据所述稳定性等级，确定对应的纠错模式，其中，所述稳定性等级包括低等级、中等级和高等级，所述稳定性等级越高，对应的纠错模式生成的纠错码长度越小； 获取待存数据，并基于所述纠错模式对所述待存数据进行纠错编码得到信息码和纠错码的混合信息，其中，所述信息码为包含所述待存数据信息的编码码元，纠错码用于解码所述信息码得到所述待存数据； 若所述稳定性等级为所述中等级，则将所述混合信息存储于所述待存储数据页； 若所述稳定性等级为所述高等级，则将所述混合信息存储于所述待存储数据页，其中，存储所述混合信息后的待存储数据页还有未使用空间； 若所述稳定性等级为所述低等级，则将所述混合信息存储于所述待存储数据页，并获得所述混合信息中超出所述待存储数据页大小的目标信息，将所述目标信息存储于所述稳定性等级为高等级的待存储数据页中的未使用空间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市硅格半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道17号深圳市数字技术园A1栋一层A区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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