佛山奥素博新科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉佛山奥素博新科技有限公司申请的专利一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115957835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111191184.0，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种含有超疏水结构的微流控芯片，属于微流控芯片技术领域，在疏水区内设置超疏水结构实现超疏水功能，超疏水结构是在液滴驱动电极阵列上方的绝缘层上制备而成，是具有特定形状的表面微米阵列或纳米阵列。本发明还提供一种含有超疏水结构的微流控芯片的制备方法，采用光刻技术将特定形状的微米阵列或纳米阵列图形转移到绝缘层上。本发明的含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法，避免了现有技术中采用进口含氟疏水材料的方式，能完全实现国产化，不再受国际贸易因素影响，同时也节省了采购和工艺成本，具有重要意义，适用性更广泛。
本发明授权一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含有超疏水结构的微流控芯片的制备方法，将所述微流控芯片范围划分为液滴驱动有效区和非有效区，疏水区的范围包含所述液滴驱动有效区的全部范围和非有效区的部分范围，非有效区的另一部分范围为芯片的外围区域；在所述液滴驱动有效区内设有液滴驱动电极阵列用于驱动液滴流动，在所述疏水区内设置超疏水结构实现超疏水功能，所述超疏水结构是在液滴驱动电极阵列上方的绝缘层上制备而成，是具有特定形状的表面微米阵列或纳米阵列，实现兼具绝缘和超疏水的功能；其特征在于，包括以下步骤： 在芯片基底上依次制作驱动电路、所述液滴驱动电极阵列和绝缘层； 采用光刻技术将特定形状的微米阵列或纳米阵列图形转移到绝缘层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佛山奥素博新科技有限公司，其通讯地址为：528200 广东省佛山市南海区桂城街道夏南路1号佛山市通储物流有限公司内自编A2栋201-5室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号