浙江大学;东莞伏安光电科技有限公司;纳晶科技股份有限公司金一政获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学;东莞伏安光电科技有限公司;纳晶科技股份有限公司申请的专利电荷传输薄膜、材料及含其的组合物、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115960339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111187968.6，技术领域涉及：C08G61/12；该发明授权电荷传输薄膜、材料及含其的组合物、电子器件是由金一政;邓云洲;黄飞;彭沣;应磊设计研发完成，并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本电荷传输薄膜、材料及含其的组合物、电子器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电荷传输薄膜，电荷传输材料及含其的组合物、电子器件。该电荷传输薄膜包括聚合物的电荷传输材料，电荷传输薄膜的禁带宽度范围为3.0–3.5eV，通过紫外光电子能谱测得电荷传输薄膜的HOMO能级态密度分布的高斯标准偏差为σ，σ小于等于0.3eV。较宽的禁带宽度和低的能量无序度的电荷传输材料或电荷传输薄膜共同实现低的电子泄漏，从而提高了应用电荷传输材料或电荷传输薄膜的电子器件的效率。
本发明授权电荷传输薄膜、材料及含其的组合物、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括电荷传输薄膜，所述电荷传输薄膜包括聚合物的电荷传输材料，所述电荷传输薄膜的禁带宽度范围为3.0–3.5eV，通过紫外光电子能谱测得所述电荷传输薄膜的HOMO能级态密度分布的高斯标准偏差为σ，σ小于等于0.3eV，所述电子器件为量子点发光二极管，所述电子器件包括量子点发光层和与所述量子点发光层相邻设置的空穴传输层，所述空穴传输层包括所述电荷传输材料；所述电荷传输材料的结构式为： 其中，x+y＝1，n为大于等于2的整数；或者所述电荷传输材料的结构式为： 或者 其中，x+y+z＝1，n为大于等于2的整数；R1、R2独立地为具有1至20个C原子的烷基，R3、R4独立地为具有1至20个C原子的烷基或芳香烷基。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;东莞伏安光电科技有限公司;纳晶科技股份有限公司，其通讯地址为：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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