长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115867035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111118001.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其制备方法是由张坤设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上依次形成牺牲层和叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至牺牲层的沟道结构和栅极缝隙结构、以及贯穿叠层结构并延伸至衬底的虚设沟道结构，其中，沟道结构包括沟道层和功能层；去除衬底和虚设沟道结构的延伸至衬底中的部分；去除牺牲层与沟道结构对应的部分和功能层延伸至牺牲层中的部分，以暴露沟道层；以及形成半导体层以覆盖沟道结构、牺牲层与虚设沟道结构对应的部分、以及牺牲层与栅极缝隙结构对应的部分。本申请提供的三维存储器及其制备方法能够避免栅极层字线与半导体层之间短接漏电，从而提高制备完成后的三维存储器的可靠性。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成牺牲层和叠层结构； 形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述牺牲层的沟道结构和栅极缝隙结构、以及贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的虚设沟道结构，其中，所述沟道结构包括沟道层和功能层； 去除所述衬底和所述虚设沟道结构的延伸至所述衬底中的部分； 去除所述牺牲层与所述沟道结构对应的部分和所述功能层延伸至所述牺牲层中的部分，以暴露所述沟道层；以及 形成半导体层以覆盖所述沟道结构、所述牺牲层与所述虚设沟道结构对应的部分、以及所述牺牲层与所述栅极缝隙结构对应的部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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