北京北方华创微电子装备有限公司苏振宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体预清洗腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115692147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110842560.1,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权半导体预清洗腔室及半导体工艺设备是由苏振宁设计研发完成,并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体预清洗腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了:本发明公开一种半导体预清洗腔室及半导体工艺设备,所公开的半导体预清洗腔室用于半导体工艺设备中,去除晶圆表面的杂质,半导体预清洗腔室包括腔室本体、等离子体发生装置和承载座;腔室本体的内部形成有反应腔,等离子体发生装置用以将反应腔内通入的反应气体激发成等离子体;承载座可移动的设置于反应腔内,其中,承载座包括电极板,电极板朝向等离子体的一侧覆盖有保护层,保护层为绝缘性质的介质材料,保护层用于和晶圆接触;电极板在反应腔的底面上的投影面积和反应腔的底面面积相当;电极板通过匹配器与射频源电连接,以向反应腔内馈入射频偏压。上述方案能够解决晶圆的良品率较低的问题。
本发明授权半导体预清洗腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了:1.一种半导体预清洗腔室,用于半导体工艺设备中,去除晶圆表面的杂质,其特征在于,所述半导体预清洗腔室包括: 腔室本体100和等离子体发生装置,所述腔室本体100的内部形成有反应腔111,所述等离子体发生装置用以将所述反应腔111内通入的反应气体激发成等离子体; 承载座,所述承载座可移动的设置于所述反应腔111内,其中,所述承载座包括电极板200,所述电极板200朝向所述等离子体的一侧覆盖有保护层300,所述保护层300为绝缘性质的介质材料,所述保护层300用于和所述晶圆接触; 所述电极板200在所述反应腔111的底面上的投影面积和所述反应腔111的底面面积相当; 所述电极板200通过匹配器510与射频源520电连接,以向所述反应腔111内馈入射频偏压。
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