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昂赛微电子(上海)有限公司相琛获国家专利权

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龙图腾网获悉昂赛微电子(上海)有限公司申请的专利BOOST型开关电源电压调整器及其控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113541492B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110835308.8,技术领域涉及:H02M3/158;该发明授权BOOST型开关电源电压调整器及其控制方法是由相琛;杨城设计研发完成,并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

BOOST型开关电源电压调整器及其控制方法在说明书摘要公布了:本发明揭示了一种BOOST型开关电源电压调整器及其控制方法,所述电压调整器包括:输入端IN、输出端OUT、控制端CT、电感L1、开关管NM1、第一P型沟道MOS场效应管PM1、第二P型沟道MOS场效应管PM2、电容C1、电阻分压网络、误差放大器EA及电压比较器COMP。本发明提出的BOOST型开关电源电压调整器及其控制方法,可解决传统BOOST型开关电源电压调整器结构存在的输出电压值的限制,提升电路的稳定性。

本发明授权BOOST型开关电源电压调整器及其控制方法在权利要求书中公布了:1.一种BOOST型开关电源电压调整器,其特征在于,所述电压调整器包括: 输入端IN,用于提供输入电压; 输出端OUT,用于提供输出电压; 电感L1,其同名端与输入端IN相连,用于在开关管NM1关断后与输入端IN电压一起为负载提供电流; 开关管NM1,连接在电感L1异名端和地之间; 第一P型沟道MOS场效应管PM1,其衬底与漏极接在一起,用以通过同步整流技术减少因二极管导通压降导致的电压损耗; 第二P型沟道MOS场效应管PM2,其衬底与源级接在一起,用以在输出端电压需要小于输入端电压时起到等效电阻的作用进行降压;第一P型沟道MOS场效应管PM1、第二P型沟道MOS场效应管PM2以串联方式连接在电感L1异名端和输出端OUT之间; 电容C1,连接在输出端OUT和地之间,用于在开关管NM1导通时为负载提供电流; 电阻分压网络,连接在输出端OUT和地之间; 误差放大器EA,其以电阻分压网络的输出和基准电压VREF1为输入; 脉宽调制器PWM,其以误差放大器EA的输出和周期为T的锯齿波Vt为输入,脉宽调制器PWM的输出连接至开关管NM1的栅极,用以根据基准电压VREF1来调整脉宽调制器的输出电压的占空比,从而调整开关管NM1循环周期内导通时间和关断时间的比例,最终调整输出电流和输出电压; 电压比较器COMP,其以输入端IN和输出端OUT作为输入,所述电压比较器COMP的输出接在第二P型沟道MOS场效应管PM2的栅极; 控制端CT,用以控制第一P型沟道MOS场效应管PM1的导通,使第一P型沟道MOS场效应管PM1能够在开关管NM1导通和关断时分别使第一P型沟道MOS场效应管PM1关断和导通; 当开关管NM1导通时,控制端CT输出高电平使第一P型沟道MOS场效应管PM1关断;当开关管NM1关断时,控制端CT输出低电平使第一P型沟道MOS场效应管PM1导通;从而减小因二极管导通压降造成的损耗; 若需要使输出端OUT的输出电压值在小于输入端IN的输入电压值的调整范围内进行增大或减小的调整时,根据需要的输出电压值和电阻分压网络设置对应的基准电压VREF1; 误差放大器EA和脉宽调制器PWM会根据当前较大的输出电压的分压采样值和基准电压值来减小脉宽调制器PWM的方波输出的占空比,使开关管的导通时间变短;进而使电感L1的充电时间变短,这样在开关管关断期间,电感L1能够为负载提供的电能也相应减少,导致输出端OUT的输出电压下降; 当输出端OUT的输出电压下降到等于输入端IN的输入电压时,以输入端IN的输入电压和输出端OUT的输出电压为输入的电压比较器COMP检测到这一状况时,输出高电平到第二P型沟道MOS场效应管PM2的栅极,使第二P型沟道MOS场效应管PM2夹断; 此时尽管开关管NM1保持关断,输入端IN通过第一P型沟道MOS场效应管PM1的源极和衬底构成的PN结直通到PM2的源极,但是却不能够通过与源极相连的衬底和漏极构成的NP结导通至输出端OUT,通过PM2的唯一方法就是通过PM2的沟道传输; 第二P型沟道MOS场效应管PM2夹断后,输出端OUT的输出电压会因为负载到地的通路变低,当输出端OUT的输出电压的分压采样值小于基准电压值时,误差放大器EA和脉宽调制器PWM又会输出方波至开关管的栅极;于是电感L1又开始进行充放电行为,在首个开关管重新恢复导通和关断的周期中,当开关管关断时,电感L1异名端的电压值是等于电感L1的电压值加上输入端IN的电压值,电感L1异名端的电压值通过开启的第一P型沟道MOS场效应管PM1抵达第二P型沟道MOS场效应管PM2的源极,进而使第二P型沟道MOS场效应管PM2工作在饱和区,等效于一个电阻完成降压的工作; 输出端OUT的输出电压又会相应变化,引起反馈环路的继续调整;最终,当输出端OUT的输出电压的分压采样值和基准电压值相等时,反馈环路稳定,进一步得到了一个稳定的且电压值低于输入端IN的输入电压值的输出电压值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昂赛微电子(上海)有限公司,其通讯地址为:201314 上海市浦东新区秀浦路2555号18幢6层A单元;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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