铠侠股份有限公司北村政幸获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110836682.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由北村政幸;广桥拓也;木下繁;丰田启设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备层叠体，所述层叠体包括：交替地层叠的绝缘层和包含钼的导电层；氧化铝层，其设置在所述绝缘层与所述导电层之间；以及保护层，其与所述氧化铝层相接，包含与所述氧化铝层中的铝进行了结合的碳、氮和硫中的任一种，与所述导电层相接。所述层叠体具有设置在所述绝缘层和所述导电层内的绝缘体，所述绝缘体与所述绝缘层的一部分、所述氧化铝层的一部分、所述保护层的一部分以及所述导电层的一部分相接。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法， 在基板上形成绝缘层，交替地层叠多个所述绝缘层和多个牺牲层，在所述多个所述绝缘层和所述多个所述牺牲层形成在层叠方向上延伸的第1开口部，经由所述第1开口部除去所述多个所述牺牲层，在所述多个所述绝缘层之间形成除去所述多个所述牺牲层而得到的多个空间，在所述多个空间形成氧化铝层，向所述氧化铝层供给包含碳、氮和硫中的任一种的第1气体，在供给所述第1气体之后，进一步供给包含钼的材料气体和对所述材料气体进行还原的还原气体，形成包含所述钼的导电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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