青井电子株式会社铃木敬史获国家专利权
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龙图腾网获悉青井电子株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116235295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180064367.8，技术领域涉及：H01L23/12；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由铃木敬史;河野一郎;儿谷昭一;三原一郎设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题为制造一种适合高频收发的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法具备以下步骤：通过电镀在基板的第一面形成第一导电部；形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜覆盖第一导电部及基板的第一面；在第一绝缘膜的一部分形成使第一导电部的一部分露出的开口；将第一导电部作为电极来进行电镀，在开口的内部形成导电栓；形成第二导电部，该第二导电部与导电栓的相反侧的端部电连接；与第二导电部电连接而配置半导体元件；利用密封材料密封半导体元件及第二导电部的至少一部分；以及将第一导电部、第一绝缘膜、导电栓、第二导电部、半导体元件、以及密封材料一体地从基板剥离。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下步骤： 通过电镀在基板的第一面的至少一部分形成第一导电部； 形成厚度100μm以上的第一绝缘膜，该第一绝缘膜覆盖所述第一导电部、及所述基板的所述第一面中的未形成所述第一导电部的部分的至少一部分； 在所述第一绝缘膜的一部分形成使所述第一导电部的一部分露出的开口； 在所述第一绝缘膜的所述开口的内周面未形成种晶层，将所述第一导电部作为电极来进行电镀，在所述第一绝缘膜的所述开口的内部形成100μm以上的长度的导电栓； 形成第二导电部，该第二导电部与所述导电栓的与所述第一导电部侧相反的一侧的端部电连接； 与所述第二导电部电连接而配置半导体元件； 利用密封材料密封所述半导体元件及所述第二导电部的至少一部分；以及 将所述第一导电部、所述第一绝缘膜、所述导电栓、所述第二导电部、所述半导体元件、以及所述密封材料一体地从所述基板剥离， 所述第一导电部包含天线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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