中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张瑞麟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利对准标记及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110645114.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权对准标记及其形成方法是由张瑞麟;邢滨设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本对准标记及其形成方法在说明书摘要公布了：一种对准标记及其形成方法，其中对准标记包括：衬底，所述衬底包括对准区和芯片区，所述对准区中具有标记原点；位于所述对准区上的第一待处理层；位于所述第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，每个所述标记开口在所述对准区上具有对应的投影图形，若干所述投影图形以所述标记原点为圆心分布。通过位于第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，使得若干标记开口之间不会产生重叠，避免因重复刻蚀对准区内的同一位置而造成的刻蚀穿透，进而避免了因刻蚀穿透所造成的刻蚀环境污染以及残留物的产生。另外，还避免了对准区中的残留物进入到芯片区中对器件结构造成的影响，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。
本发明授权对准标记及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种对准标记，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括对准区和芯片区，所述对准区位于横向切割与纵向切割的交汇区，所述对准区中具有标记原点； 位于所述对准区上的第一待处理层； 位于所述第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，所述若干标记开口的刻蚀深度相同，每个所述标记开口在所述对准区上具有对应的投影图形，所述投影图形以所述标记原点为圆心等间距分布，所述投影图形以所述标记原点为圆心等间距分布为所述投影图形绕所述圆心进行圆周分布，且相邻所述投影图形之间的夹角相等；其中， 采用若干次图形化处理在所述第一待处理层内形成所述若干相互分立的标记开口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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