应用材料公司克劳斯·施勒获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利沉积设备、处理系统以及制造光电装置层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115885057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180036943.8，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权沉积设备、处理系统以及制造光电装置层的方法是由克劳斯·施勒;拉尔夫·林登贝格;沃尔夫冈·克莱因设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积设备、处理系统以及制造光电装置层的方法在说明书摘要公布了：描述了一种用于在基板处理系统中进行大面积基板处理的沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；可旋转溅射阴极水平阵列，所述可旋转溅射阴极水平阵列被配置成具有圆柱形靶材，所述可旋转溅射阴极水平阵列设置在所述真空腔室中；以及基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内、处于所述可旋转溅射阴极水平阵列下方，并且被配置用于使所述可旋转溅射阴极水平阵列向下溅射在所述基板支撑件上的所述基板上的静态沉积工艺。
本发明授权沉积设备、处理系统以及制造光电装置层的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于在基板处理系统中进行大面积基板处理的沉积设备，包括： 真空腔室，所述真空腔室包括： 源框架段； 上盖组件，所述上盖组件在所述源框架段上方并且能够从所述源框架段拆卸下来；和 基板搬运段，所述基板搬运段在所述源框架段下方，所述基板搬运段包括一个或多个侧壁和底盖组件，所述一个或多个侧壁牢固地耦接至所述源框架段或与所述源框架段一体地形成，所述底盖组件能够从所述一个或多个侧壁拆卸下来； 可旋转溅射阴极水平阵列，所述可旋转溅射阴极水平阵列被配置成具有圆柱形靶材，所述可旋转溅射阴极水平阵列设置在所述源框架段中；和 基板支撑件，所述基板支撑件在所述基板搬运段内、处于所述可旋转溅射阴极水平阵列下方，并且被配置用于使所述可旋转溅射阴极水平阵列向下溅射在所述基板支撑件上的基板上的静态沉积工艺，其中 能够从所述源框架段拆卸下来的所述上盖组件提供用于维护所述可旋转溅射阴极水平阵列的第一通道，并且能够从所述一个或多个侧壁拆卸下来的所述底盖组件提供用于维护由所述底盖组件支撑的多个部件的第二通道，其中通过所述第一通道维护的部件的维护周期比通过所述第二通道维护的部件的维护周期更长。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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