华为技术有限公司顾俊星获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种三维存储器、芯片封装结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110485941.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维存储器、芯片封装结构及电子设备是由顾俊星设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器、芯片封装结构及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维存储器、芯片封装结构及电子设备，涉及电子设备技术领域。本申请的三维存储器能够在有限的布件空间内，提高DRAM芯片的存储能力，并且三维存储器中电容器的制作工艺难度较小，DRAM芯片的产品合格率和可靠性较高。本申请实施例提供一种包括基底和存储阵列层的三维存储器。其中，存储阵列层包括至少一个存储结构，存储结构包括并排设置于基底上的N个电容器。电容器包括沿远离基底的方向、依次层叠设置于基底上的第一电极、第一介电层以及第二电极；其中，N≥2，N为整数。本申请实施例提供的三维存储器用于存储数据。
本发明授权一种三维存储器、芯片封装结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 基底； 沿垂直于所述基底的方向层叠设置的M层存储阵列层，其中，M≥2，M为整数，所述存储阵列层包括至少一个存储结构，所述存储结构包括并排设置于所述基底上的N个电容器，所述电容器包括沿远离所述基底的方向、依次层叠设置于所述基底上的第一电极、第一介电层以及第二电极；其中，N≥2，N为整数； 所述存储结构还包括字线和N个选通晶体管，一个所述选通晶体管的第一极与一个所述电容器的第一电极电连接，所述字线与所述N个选通晶体管的栅极电连接；N个所述选通晶体管的排布方向和N个所述电容器的排布方向平行；任意一个所述电容器和与其电连接的所述选通晶体管的排布方向，与所述基底的表面平行； 所述三维存储器还包括：N条位线，所述位线贯穿所述M层所述存储阵列层、且与所述M层存储阵列层中位于同一位置的M个所述选通晶体管的第二极电连接；其中，同一位置的M个所述选通晶体管在所述基底上的垂直投影重叠。
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