力成科技股份有限公司张简上煜获国家专利权
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龙图腾网获悉力成科技股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110423879.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装结构及其制法是由张简上煜;徐宏欣;林南君设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制法在说明书摘要公布了：本发明为一种半导体封装结构及其制法，其中该半导体封装结构包含有一芯片、多个第一及第二凸块、一封胶体及一重布线层；该芯片包含有一主动区，该些第一及第二凸块分别形成于该主动区的一第一区与一第二区；各该第一凸块分别与该芯片的多个芯片接垫电连接；各该第二凸块包含有宽度不同的一第一层及一第二层；该封胶体包覆该芯片及该些第一、第二凸块；因此，当研磨该封胶体使该些第一及第二凸块外露后，可借由该些外露的第二凸块的宽度，判断该些第一凸块是否完整外露于该封胶体，供与该重布线层顺利电连接，避免发生研磨深度不足或是研磨过深的情况。
本发明授权半导体封装结构及其制法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包含： 一芯片，包含一主动面，该主动面包含有一芯片接垫区及一无芯片接垫区，其中该无芯片接垫区包围该芯片接垫区，并于该芯片接垫区形成多个芯片接垫； 多个第一凸块，分别形成于该芯片接垫区内对应的该芯片接垫上，且各该第一凸块包含有一远离该芯片接垫的一第一表面； 多个第二凸块，分别形成于该无芯片接垫区内，各该第二凸块呈阶梯状，并由上至下包含有一第一层及一第二层；其中该第一层与该第二层尺寸不同，该第一层远离该芯片并包含有一第二表面； 一封胶体，包覆该芯片、该些第一凸块及该些第二凸块，其中各该第一凸块的该第一表面及各该第二凸块的该第二表面与该封胶体的一第三表面齐平，并构成一第一平面；以及 一重布线层，形成于该第一平面上，并与该些第一凸块电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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