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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种半导体器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110427559.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件制备方法是由王宪程设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件制备方法，包括：提供一基体，基体包括设置栅极结构和有源结构的衬底层；在基体上方淀积形成第一介质层；形成联接构件，包括：开设一次性贯穿第一介质层的用于暴露栅极结构或和有源结构的开口，在开口中淀积导电材料形成连接栅极结构或和有源结构的联接构件；在第一介质层和联接构件上方形成金属层，金属层经由联接构件实现与栅极结构或和有源结构的连通；本发明能够节省大量光掩模，节省传统方法中的中段制程，缩短工艺流程，而且采用单一的联接构件可避免错位的问题。

本发明授权一种半导体器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤一，提供一基体，所述基体包括设置栅极结构和有源结构的衬底层，有源结构包括源极和漏极结构； 步骤二，在所述基体上方淀积形成第一介质层； 步骤三，形成联接构件，包括：开设一次性贯穿所述第一介质层的用于暴露所述栅极结构或和有源结构的开口，在开口中淀积导电材料形成连接所述栅极结构或和有源结构的联接构件； 步骤四，在第一介质层和联接构件上方形成金属层，需要与所述金属层连通的栅极结构或和有源结构经由所述联接构件实现所述金属层的连通； 形成联接构件的开口的口径从下往上口径逐渐增大，所述联接构件的周壁与基体水平面之间是呈锐角的，联接构件的周壁与基体水平面的角度为65°至90°； 所述方法还包括：在形成所述联接构件时，沿所述第一介质层深度方向开设的开口中分批次填充形成沿所述第一介质层的深度方向堆叠的至少两层联接结构，先形成与所述栅极结构和或有源结构抵接的最底部的一层联接结构，最后形成与所述金属层抵接的最顶部的一层联接结构； 所述分批次填充形成沿所述第一介质层的深度方向堆叠的至少两层联接结构，包括： 非顶部联接结构形成步骤：通过原子层沉积沿着开口的底部和侧壁淀积形成具有凹槽的初设衬垫层，并在凹槽中填充虚设件；通过蚀刻初设衬垫层和虚设件至所需高度；去除虚设件露出凹槽，并在凹槽中填充金属材料；蚀刻金属材料至所需高度得到一层联接结构；如果接下来要形成的非最顶部的联接结构，则再次执行所述非顶部联接结构形成步骤，否则执行如下的顶部联接结构形成步骤：在设有联接结构的开口中以及第一介质层的表面上，依次沉积衬垫层和联接件的材料，再通过平坦化去除多余的材料，以暴露第一介质层的表面并在开口中形成最顶部的一层联接结构； 所述第一介质层包括下层间介质层和上层间介质层，所述上层间介质层的材料K值低于所述下层间介质层的材料K值； 所述方法还包括：在所述步骤二中形成下层间介质层后，对于部分需要与金属层连通的栅极结构或和有源结构，为其开设贯穿所述下层间介质层的开口，在开口中淀积导电材料形成接触构件；在所述步骤三中，对于剩余部分需要与金属层连通的栅极结构或和有源结构，为其开设一次性贯穿所述下层间介质层和上层间介质层的开口，在开口中分别淀积导电材料形成联接构件；以及，形成贯穿所述上层间介质层的用于与所述接触构件连接的导通构件，所述导通构件的侧面与所述接触构件的侧面接触。

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