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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利套刻对准标记的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110392894.3，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权套刻对准标记的形成方法是由刘玄;余啸设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻对准标记的形成方法在说明书摘要公布了：一种套刻对准标记的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括标记区，标记区包括第一区、第二区、第三区和第四区；在标记区上形成第一掩膜结构；在第一掩膜结构上形成若干相互分立的第一牺牲层；以若干第一牺牲层为掩膜刻蚀第一掩膜结构和衬底，形成若干鳍部对准标记和若干伪鳍部对准标记。通过将位于第一区和第二区上相邻的第一牺牲层之间的间距等于位于第三区和第四区上相邻的第一牺牲层之间的间距，保证了在以若干第一牺牲层为掩膜进行刻蚀的过程中，刻蚀环境保持一致，使得最终形成的各个鳍部对准标记的特征尺寸保持一致，进而减少了若干鳍部对准标记的中心发生偏移的问题，降低了测量误差所带来的影响，提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权套刻对准标记的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻对准标记的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括标记区，所述标记区包括依次邻接的第一区、第二区、第三区和第四区； 在所述标记区上形成第一掩膜结构； 在所述第一掩膜结构上形成若干相互分立的第一牺牲层，位于所述第一区和所述第二区上相邻的所述第一牺牲层之间具有第一间距尺寸，位于所述第三区和所述第四区上相邻的所述第一牺牲层之间具有第二间距尺寸，所述第一间距尺寸与所述第二间距尺寸相等； 以若干所述第一牺牲层为掩膜刻蚀所述第一掩膜结构和所述衬底，在所述第一区和所述第四区上形成若干鳍部对准标记，在所述第二区和所述第三区上形成若干伪鳍部对准标记； 对所述伪鳍部对准标记进行刻蚀处理，以减小所述伪鳍部对准标记的高度；其中， 所述第二区内包括第一边界区，所述第一边界区与所述第一区邻接；所述第三区内包括第二边界区，所述第二边界区与所述第四区邻接； 在形成若干相互分立的所述第一牺牲层之后，且在以若干所述第一牺牲层为掩膜刻蚀所述第一掩膜结构和所述衬底之前，还包括：去除若干位于所述第一边界区和所述第二边界区上的所述第一牺牲层。

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