世界先进积体电路股份有限公司杜杨获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115172311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110361111.5,技术领域涉及:H01L23/488;该发明授权半导体结构及其制作方法是由杜杨;林永丰;林琮翔;周钰杰;周政道;卢奕均;陈俊旭设计研发完成,并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了:一种半导体结构,包括陶瓷基底、第一键合层、第二键合层、空腔、及半导体层。其中,陶瓷基底包括位于其表面的孔洞。第一键合层设置于陶瓷基底的表面之上,且第二键合层键合至第一键合层。空腔设置于孔洞的上方且被第一键合层及第二键合层围封。半导体层延伸跨越空腔的上方且沿着第二键合层的表面而设置。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括: 一陶瓷基底,包括一表面及位于所述表面的至少一孔洞; 一第一键合层,设置于所述陶瓷基底的所述表面之上; 一第二键合层,键合至所述第一键合层; 至少一空腔,设置于所述至少一孔洞的上方,且被所述第一键合层及所述第二键合层围封;以及 一半导体层,延伸跨越所述至少一空腔的上方,且沿着所述第二键合层的表面而设置。
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