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龙图腾网获悉华北电力大学申请的专利一种多芯片并联功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864142B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110270648.0，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种多芯片并联功率模块是由赵斌;孙鹏;余秋萍;赵志斌设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片并联功率模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多芯片并联功率模块。该多芯片并联功率模块中的上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；下功率模块与上功率模块的结构相同；覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和源极信号汇集区域；漏极信号汇集区域设在上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元中的MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极和漏极分别与相应的信号汇集区域连接。本发明解决了并联芯片间的电流分配不均衡的问题。

本发明授权一种多芯片并联功率模块在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联功率模块，其特征在于，包括：上功率模块、下功率模块和漏极信号汇集区域； 所述上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；所述下功率模块与所述上功率模块的结构相同；上功率模块和下功率模块采用长圆形结构； 所述覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；所述栅极覆铜陶瓷基板、所述辅助源极覆铜陶瓷基板和所述漏极覆铜陶瓷基板均为半环形结构，所述源极覆铜陶瓷基板为圆形结构；所述栅极覆铜陶瓷基板、所述辅助源极覆铜陶瓷基板和所述漏极覆铜陶瓷基板同心且沿径向由外到内依次间隔排布；所述源极覆铜陶瓷基板位于所述漏极覆铜陶瓷基板半包围的区域内且与所述漏极覆铜陶瓷基板间隔； 所述信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域以及源极信号汇集区域；所述栅极信号汇集区域设在所述栅极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述辅助源极信号汇集区域设在所述辅助源极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述源极信号汇集区域设在所述源极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述信号汇集区域单元用于连接栅极驱动信号端子、辅助源极驱动信号端子和源极功率信号端子； 所述漏极信号汇集区域设在所述上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述漏极信号汇集区域用于连接漏极功率信号端子； 所述芯片并联单元包括位于所述漏极覆铜陶瓷基板上的MOSFET芯片并联组；所述MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；所述MOSFET芯片并联组的栅极与所述栅极覆铜陶瓷基板连接；所述MOSFET芯片并联组的源极与所述源极覆铜陶瓷基板连接；所述MOSFET芯片并联组的辅助源极与所述辅助源极覆铜陶瓷基板连接；所述MOSFET芯片并联组的漏极设在所述漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；MOSFET芯片采用180度半圆周布局； 所述下功率模块中的漏极覆铜陶瓷基板与所述上功率模块中的源极信号汇集区域连接； 所述芯片并联单元还包括：碳化硅二极管芯片并联组； 所述碳化硅二极管芯片并联组设在所述漏极覆铜陶瓷基板上；所述碳化硅二极管芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的碳化硅二极管芯片；所述碳化硅二极管芯片并联组的阳极与所述MOSFET芯片并联组的源极相连接，所述碳化硅二极管芯片并联组的阳极与所述源极覆铜陶瓷基板相连接，所述碳化硅二极管芯片并联组的阴极设在所述漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上。

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