买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112941620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110271151.0，技术领域涉及：C30B15/14；该发明授权控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法是由窦仁勤;张庆礼;刘文鹏;何異;陈迎迎;张昊天设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法，包括坩埚、设置于坩埚中的含镓类晶体、用于对含镓类晶体进行加热的加热机构和用于对含镓类晶体进行辅助生长的提拉机构，提拉机构的提拉端伸入坩埚中、并与坩埚中设置的含镓类晶体抵接，所述加热机构包括至少两段加热单元，每段加热单元均分别缠绕在坩埚外周；该提拉制备装置采用这种多段式感应线圈加热的方式实现含镓类晶体的熔体随着晶体的生长从坩埚口向坩埚底方向逐步熔化，避免坩埚中所有含镓类晶体的全周期熔化导致晶体熔体组分挥发严重以及不可控的问题。

本发明授权控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法在权利要求书中公布了：1.控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备方法，其特征在于，提拉制备方法利用提拉制备装置实现，所述提拉制备装置包括坩埚（1）、设置于坩埚（1）中的含镓类晶体（2）、用于对含镓类晶体（2）进行加热的加热机构（3）和用于对含镓类晶体（2）进行辅助生长的提拉机构（4），提拉机构（4）的提拉端伸入坩埚（1）中、并与坩埚（1）中设置的含镓类晶体（2）抵接，所述加热机构（3）包括至少两段加热单元； 提拉制备方法具体为： （A）根据含镓类晶体（2）的尺寸，确定坩埚（1）尺寸，并在坩埚（1）外周缠绕至少两段独立的加热单元，不同的加热单元沿从坩埚底到坩埚口依次缠绕设置； （B）根据含镓类晶体（2）的种类，分别制备多个含有不同比例氧化镓的多晶原料，所述多晶原料与所述加热单元对应数量设置； （C）将所述多晶原料依次放置于坩埚（1）中，从坩埚口到坩埚底的氧化镓比例单向增加； （D）通过所述加热单元对坩埚（1）中的多晶原料进行分段加热，通过提拉机构（4）对坩埚（1）中的多晶原料进行提拉生长，具体包括（D1）至（D6）： （D1）对坩埚（1）进行抽真空，待炉内气压小于10Pa时，充保护气体以及小于5%体积的氧气，充至（1.0-1.8）×105Pa； （D2）对不同加热单元中的线圈（31）分别采用多段感应加热，从坩埚底到坩埚口，所述线圈（31）的加热功率依次逐渐增加，坩埚口处的加热单元的加热温度等于晶体熔点，坩埚口处的多晶原料熔化； （D3）缓慢下降籽晶（41）至其熔融多晶原料的端面，调整所述线圈（31）的加热功率直至籽晶（41）与熔融多晶原料端面的稳定接触时间大于0.2h； （D4）以一定的速率提拉和旋转籽晶（41）进行多晶原料的晶体生长； （D5）根据多晶原料固液界面的下降位移以及晶体生长速度，反馈线圈（31）的感应加热功率，实现固液界面的实时移动； （D6）待晶体生长完成后，以一定的速率提拉籽晶杆（42）使晶体与坩埚（1）中的液面脱离，对晶体进行降温至室温后取出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院合肥物质科学研究院，其通讯地址为：230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。