力成科技股份有限公司张简上煜获国家专利权
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龙图腾网获悉力成科技股份有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110078416.5，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权封装结构及其制造方法是由张简上煜;林南君;徐宏欣设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述种封装结构包括导电件、多个芯片、介电体、线路层以及图案化绝缘层。多个芯片配置于导电件上。部分的导电件围绕多个芯片。介电体包覆多个芯片。线路层位于介电体上。线路层电连接多个芯片。图案化绝缘层覆盖线路层。部分的图案化绝缘层位于相邻的多个芯片之间。
本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 导电件； 多个芯片，配置于所述导电件上且部分的所述导电件围绕所述多个芯片； 介电体，包覆所述多个芯片； 线路层，位于所述介电体上且电连接所述多个芯片；以及 图案化绝缘层，覆盖所述线路层，且部分的所述图案化绝缘层位于相邻的所述多个芯片之间，其中： 所述导电件包括第一导电部分及第二导电部分，所述介电体位于所述第一导电部分上，所述第二导电部分围绕所述多个芯片中的每一个； 所述导电件的所述第一导电部分的侧壁、所述导电件的所述第二导电部分的侧壁和所述图案化绝缘层的侧壁齐平； 所述介电体具有介电顶面、介电底面及介电侧面，所述介电底面相对于所述介电顶面，所述介电侧面连接所述介电顶面及所述介电底面； 所述线路层位于所述介电体的所述介电顶面上； 所述第二导电部分覆盖所述介电体的所述介电顶面的一部分，并从所述介电体的所述介电顶面上延伸且覆盖所述介电侧面，以接触所述第一导电部分；且 所述导电件的所述第二导电部分与所述线路层为经由相同的步骤所形成的膜层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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