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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011624301.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种半导体器件是由王琼设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件。半导体器件包括：衬底，具有第一导电类型；浅沟槽隔离结构，设置于所述衬底中且呈第一环形结构，所述衬底被所述浅沟槽隔离结构环绕的区域为有源区；漏极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述有源区的中心区域的上表面；源极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述漏极掺杂区的两侧的所述有源区的上表面，且与所述漏极掺杂区间隔设置；场氧化层，设置于所述有源区内的所述衬底的上表面且呈第二环形结构，并环绕所述漏极掺杂区；栅极多晶，设置于所述衬底的上表面且呈第三环形结构，并环绕所述场氧化层；漂移区，具有第二导电类型，设置于所述衬底中并包围所述漏极掺杂区。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 浅沟槽隔离结构，设置于所述衬底中且呈第一环形结构，所述衬底被所述浅沟槽隔离结构环绕的区域为有源区； 漏极掺杂区，具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型，设置于所述有源区的中心区域的上表面； 源极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述漏极掺杂区的两侧的所述有源区的上表面，且与所述漏极掺杂区间隔设置，所述漏极掺杂区与所述源极掺杂区的连线方向为第一方向，在所述衬底所在平面内且与所述第一方向垂直的方向为第二方向； 场氧化层，设置于所述有源区内的所述衬底的上表面且呈第二环形结构，并环绕所述漏极掺杂区，所述场氧化层的外边界与所述浅沟槽隔离结构之间有预设间距，所述预设间距大于0； 栅极多晶，设置于所述衬底的上表面且呈第三环形结构，并环绕所述场氧化层，在所述第一方向上，所述栅极多晶从所述源极掺杂区的上方延伸至所述场氧化层的上方，在所述第二方向上，所述栅极多晶从所述浅沟槽隔离结构的上方延伸至所述场氧化层的上方，所述栅极多晶与所述衬底间还设有栅氧化层； 漂移区，具有第二导电类型，设置于所述衬底中并包围所述漏极掺杂区，且与所述源极掺杂区间隔设置，所述漂移区还沿所述第二方向延伸至所述浅沟槽隔离结构的下方； 所述有源区在所述第二方向上的延伸区域为器件耐压区，所述有源区在所述第一方向上的所述漏极掺杂区与所述源极掺杂区之间的区域为器件工作及耐压区。

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