美光科技公司L·F·德里西获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器器件中的受损存储部分恢复获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113127386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011593141.0,技术领域涉及:G06F13/16;该发明授权存储器器件中的受损存储部分恢复是由L·F·德里西;G·德利塞奥;P·帕帕;M·亚库洛;C·曼加内利设计研发完成,并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件中的受损存储部分恢复在说明书摘要公布了:本文中描述用于存储器器件中的受损存储部分恢复的器件和技术。在对存储器阵列中的存储部分例如页集合的垃圾收集操作期间,检测故障事件。此处,所述存储部分集合的成员通过所述垃圾收集操作,从之前物理位置移动到新物理位置。可响应于所述故障事件,检索对所述存储部分集合中的可能损坏的存储部分的之前物理位置的引用。此处,作为所述垃圾收集操作的一部分,所述可能损坏的存储部分已经写入到新物理位置。接着可使用来自所述之前物理位置的数据,在所述新物理位置处重写所述可能损坏的存储部分。
本发明授权存储器器件中的受损存储部分恢复在权利要求书中公布了:1.一种用于存储器器件中的受损存储部分恢复的存储器控制器,所述存储器控制器包括: 包含指令的存储器件;以及 处理电路系统,其在处于操作中时,由所述指令配置以: 在对存储器阵列中的存储部分集合的垃圾收集操作期间,检测故障事件,所述存储部分集合的成员通过所述垃圾收集操作从之前物理位置移动到新物理位置; 响应于所述故障事件,检索对所述存储部分集合中的可能损坏的存储部分的之前物理位置的引用,所述可能损坏的存储部分已经写入到新的物理位置;以及 使用来自所述之前物理位置的数据,在所述新物理位置处重写所述可能损坏的存储部分。
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