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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011593833.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件是由钱洪途;裴轶;张晖设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括设置于衬底一侧的缓冲层；沿源极预设区指向漏极预设区的方向，缓冲层包括相互连接的第一缓冲分部和第二缓冲分部，第一缓冲分部在衬底上的垂直投影与源极预设区在衬底上的垂直投影交叠，第二缓冲分部在衬底上的垂直投影与栅极预设区以及漏极预设区在衬底上的垂直投影交叠；缓冲层中注入有离子，第二缓冲分部中的离子注入浓度大于第一缓冲分部中的离子注入浓度。应用该外延结构的半导体器件兼具高击穿电压、低漏电以及高静电防护能力。

本发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的半导体层；所述半导体层至少包括设置于所述衬底一侧的缓冲层；沿源极预设区指向漏极预设区的方向，所述缓冲层包括相互连接的第一缓冲分部和第二缓冲分部，所述第一缓冲分部在所述衬底上的垂直投影与所述源极预设区在所述衬底上的垂直投影交叠，所述第二缓冲分部在所述衬底上的垂直投影与栅极预设区以及所述漏极预设区在所述衬底上的垂直投影交叠；所述缓冲层中注入有离子，所述第二缓冲分部中的离子注入浓度大于所述第一缓冲分部中的离子注入浓度；所述栅极预设区位于所述源极预设区与所述漏极预设区之间； 所述半导体层还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述缓冲层远离所述衬底一侧，所述阻挡层的禁带宽度大于所述缓冲层的禁带宽度； 沿所述源极预设区指向所述漏极预设区的方向，所述阻挡层包括相互连接的第一阻挡分部和第二阻挡分部，所述第一阻挡分部在所述衬底上的垂直投影与所述源极预设区在所述衬底上的垂直投影交叠，所述第二阻挡分部在所述衬底上的垂直投影与所述栅极预设区以及所述漏极预设区在所述衬底上的垂直投影交叠； 所述阻挡层中注入有所述离子，所述第二阻挡分部中的离子注入浓度大于所述第一阻挡分部中的离子注入浓度；且所述第二阻挡分部中的离子注入浓度小于所述第二缓冲分部中的离子注入浓度； 所述第一缓冲分部中的离子注入浓度C1满足C1＝0；所述第一缓冲分部的电阻率ρ1满足0.1Ω·cm≤ρ1≤100Ω·cm； 所述第二缓冲分部中的离子注入浓度C2满足1×1017cm-3≤C2≤5×1018cm-3；所述第二缓冲分部的电阻率ρ2满足105Ω·cm≤ρ2≤1010Ω·cm。

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