国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人东京工业大学上原雅人获国家专利权
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龙图腾网获悉国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人东京工业大学申请的专利铁电性薄膜、使用其的电子元件以及铁电性薄膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090482.8，技术领域涉及：H01L21/318；该发明授权铁电性薄膜、使用其的电子元件以及铁电性薄膜的制造方法是由上原雅人;秋山守人;山田浩志;舟洼浩;清水荘雄;安冈慎之介设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电性薄膜、使用其的电子元件以及铁电性薄膜的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种与以往的由添加了钪的氮化铝构成的铁电性薄膜相比具有非常高的铁电性并且具有可耐受实用的稳定性的铁电性薄膜及使用其的电子元件。本发明提供由化学式M11‑XM2XN表示、M1为Al或Ga、M2为选自Mg、Sc和Nb中的至少1种元素、X为0以上且1以下的范围的铁电性薄膜和使用其的电子元件。
本发明授权铁电性薄膜、使用其的电子元件以及铁电性薄膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电性薄膜，其特征在于，是由化学式M11-XM2XN表示的具有铁电性的、并且显示可逆的正负极化反转的铁电性薄膜，M1为选自Al和Ga中的至少1种元素，M2为选自Mg、Sc、Yb和Nb中的至少1种元素，X在0以上且1以下的范围内， 晶体结构为纤锌矿型， 膜厚在1nm～200nm的范围内。
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