安世有限公司周安乐获国家专利权
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龙图腾网获悉安世有限公司申请的专利无引线半导体封装件以及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011526201.7，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权无引线半导体封装件以及制造方法是由周安乐;王飞莹;张贵祥;闭香红设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本无引线半导体封装件以及制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及无引线封装的半导体装置，包括相对的顶部主表面和底部主表面以及在顶部表面与底部表面之间延伸的侧壁，无引线封装的半导体装置还包括：引线框结构，其包括各自具有布置在其上的半导体晶片的两个或更多个引线框子结构的阵列；端子；以及轨道，延伸横过半导体装置的底部表面，其中，轨道提供用于互连半导体晶片和端子的区域，其中，轨道被绝缘材料填充以隔离引线框子结构。
本发明授权无引线半导体封装件以及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种形成无引线封装的半导体装置的方法，所述无引线封装的半导体装置包括引线框结构，所述引线框结构包括引线框子结构的阵列，每一个引线框子结构具有布置在其上的半导体晶片，所述方法包括以下步骤： 设置在所述引线框子结构的端子与所述引线框结构的端子之间的电连接； 设置封装层以封装所述引线框子结构和各个半导体晶片； 执行延伸穿过所述引线框结构和所述封装层的第一系列的平行切割，以暴露出形成端子的侧部分； 电镀所述端子以形成金属侧垫； 在所述引线框结构中形成沟槽，其中，所述沟槽延伸横过所述无引线封装的半导体装置的底部表面； 用绝缘材料填充所述沟槽；以及 执行相对于所述第一系列的平行切割成角度的第二系列的平行切割，所述第二系列的平行切割延伸穿过所述引线框结构和所述封装层，以使所述无引线封装的半导体装置单个化。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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