华为技术有限公司詹瞻获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116635985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080108008.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权场效应晶体管及其制造方法是由詹瞻;刘燕翔;马小龙设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：一种场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括：源极13、漏极14和栅极12；源极13和漏极14之间设置有沟道区域11；栅极12和源极13以及栅极12和漏极14之间设置有内隔离层110，内隔离层110覆盖于沟道区域11的部分区域上，其中，内隔离层110中包括施主杂质或受主杂质。该结构能够降低场效应晶体管的沟道区域11的导通电阻，并且维持沟道区域11中的高载流子迁移率，从而提高场效应晶体管的性能。
本发明授权场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极和栅极； 所述源极和漏极之间设置有沟道区域； 所述栅极和所述源极以及所述栅极和所述漏极之间设置有内隔离层，所述内隔离层覆盖于所述沟道区域的部分区域上，其中，所述内隔离层中包括施主杂质或受主杂质，所述施主杂质或受主杂质向被所述内隔离层覆盖的所述沟道区域的部分区域中扩散。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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