中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈卓凡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011507526.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈卓凡;郑二虎;张海洋设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干相互分立的栅极结构；在所述基底内形成源漏结构，所述源漏结构还位于所述栅极结构的两侧；在所述源漏结构表面形成第一导电结构，所述第一导电结构的顶面高于所述栅极结构顶面；在所述第一导电结构的顶面、以及高于栅极结构顶面的第一导电结构的侧壁上，形成第一刻蚀阻挡层；在所述栅极结构顶面以及第一刻蚀阻挡层表面形成第一介质层，所述第一介质层的材料与所述第一刻蚀阻挡层的材料不同。从而，能够在实现刻蚀的自对准工艺的同时，提高所述半导体结构电学特性的稳定性，提高半导体结构的性能和可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 若干相互分立且位于所述基底上的栅极结构； 若干位于所述栅极结构两侧的基底内的源漏结构； 位于所述源漏结构表面的第一导电结构，所述第一导电结构的顶面高于所述栅极结构顶面； 位于所述第一导电结构的顶面的第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层还位于高于栅极结构顶面的第一导电结构的侧壁上； 位于所述栅极结构顶面以及第一刻蚀阻挡层表面的第一介质层，所述第一介质层的材料与所述第一刻蚀阻挡层的材料不同； 位于所述栅极结构顶面、以及第一刻蚀阻挡层和第一导电结构之间的第一保护层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述第一保护层表面；所述第一刻蚀阻挡层暴露所述第一保护层对应的栅极顶面位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号