浙江驰拓科技有限公司李州获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利非一致磁化的存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114596890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011391011.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权非一致磁化的存储单元是由李州;孟皓设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本非一致磁化的存储单元在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非一致磁化的存储单元。该存储单元包括自旋霍尔效应层以及位于自旋霍尔效应层的同一侧表面的两个并列的磁性隧道结，各磁性隧道结包括：沿远离自旋霍尔效应层的方向顺序层叠的自由层、势垒层和参考层，两个参考层具有固定的磁化方向，两个磁性隧道结具有不同形状，或者两个磁性隧道结形状相同且在自旋霍尔效应层上具有不同的设置方式，用于使两个磁性隧道结的易磁化轴的斜率正负相反，从而在自旋霍尔效应层通电后使两个自由层表现相反的磁化方向。上述两个磁性隧道结中的自由层在通电后无需外磁场，通过不同方向的电流，使两个磁性隧道结总是互补阻态，读取信号实现差分存储，进而能够节省存储单位的面积，降低成本。
本发明授权非一致磁化的存储单元在权利要求书中公布了：1.一种非一致磁化的存储单元，其特征在于，包括自旋霍尔效应层以及位于所述自旋霍尔效应层的同一侧表面的两个并列的磁性隧道结，各所述磁性隧道结包括： 沿远离所述自旋霍尔效应层的方向顺序层叠的自由层、势垒层和参考层，两个所述参考层具有固定的磁化方向，所述两个磁性隧道结具有不同形状，或者所述两个磁性隧道结形状相同且在所述自旋霍尔效应层上具有不同的设置方式，用于使所述两个磁性隧道结的易磁化轴的斜率正负相反，从而在所述自旋霍尔效应层通电后使两个所述自由层表现相反的磁化方向； 所述自由层和所述参考层均为面内磁化； 所述两个磁性隧道结在平行于所述自旋霍尔效应层的方向上的截面分别为第一截面和第二截面，所述第一截面和所述第二截面各自为具有至多两个对称轴的轴对称图形，所述第一截面和所述第二截面的易磁化轴的斜率正负相反。
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