索尼半导体解决方案公司朝仓伦丰获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利固态成像元件、成像装置和固态成像元件的控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114946171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080091984.2,技术领域涉及:H04N25/70;该发明授权固态成像元件、成像装置和固态成像元件的控制方法是由朝仓伦丰设计研发完成,并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态成像元件、成像装置和固态成像元件的控制方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种固态成像元件,其中所有像素同时执行曝光,所述固态成像元件具有改善的PLS耐性。前级传输晶体管将电荷从光电转换元件传输到具有不同容量的前级电荷保持区域和后级电荷保持区域。后级传输晶体管将电荷从所述后级电荷保持区域传输到浮动扩散区域。中间传输晶体管将在电荷已经从所述后级电荷保持区域传输到所述浮动扩散区域之后残留在所述前级电荷保持区域中的电荷经由所述前级电荷保持区域传输到所述浮动扩散区域。
本发明授权固态成像元件、成像装置和固态成像元件的控制方法在权利要求书中公布了:1.一种固态成像元件,包括: 光电转换元件; 前级电荷保持区域; 后级电荷保持区域,其具有与所述前级电荷保持区域不同的容量; 前级传输晶体管,其将电荷从所述光电转换元件传输到所述前级电荷保持区域和所述后级电荷保持区域; 后级传输晶体管,其将电荷从所述后级电荷保持区域传输到浮动扩散区域; 中间传输晶体管,其将在电荷已经从所述后级电荷保持区域传输到所述浮动扩散区域之后残留在所述前级电荷保持区域中的电荷经由所述前级电荷保持区域传输到所述浮动扩散区域; 遮光壁,其防止电荷从所述光电转换元件泄漏到所述后级电荷保持区域;以及 信号处理电路,在对应于从所述后级电荷保持区域传输的电荷量的第一像素信号以及对应于从所述前级电荷保持区域和所述后级电荷保持区域传输的电荷量的第二像素信号之中,其将第一像素信号和预定阈值进行比较,并且基于比较结果执行选择第一像素信号和第二像素信号中的一个的处理。
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