东京毅力科创株式会社须田隆太郎获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基板处理方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011285147.1，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权基板处理方法及等离子体处理装置是由须田隆太郎;户村幕树;田中康基设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高在等离子体蚀刻时含硅膜的蚀刻相对于掩模的蚀刻的选择比的技术。示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括在腔室内由包含氟化氢气体的第1处理气体生成等离子体的工序。在生成等离子体的工序中，通过来自等离子体的化学物种来对膜进行蚀刻。氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的第1处理气体的总流量为25体积％以上。
本发明授权基板处理方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其包括： 向腔室内提供含硅膜及在该含硅膜上具有掩模的基板的工序；以及 在所述腔室内由包含氟化氢气体及含磷气体的第1处理气体生成等离子体并对所述含硅膜进行蚀刻的工序， 所述氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的所述第1处理气体的总流量为25体积％以上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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