新光电气工业株式会社山本研吾获国家专利权
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龙图腾网获悉新光电气工业株式会社申请的专利柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011243111.7，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置是由山本研吾;伊藤大介;大久保光晃;内田健二设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置。柱状铜凸点形成在半导体芯片的电极垫上，并具有：第1铜层；第1金属层，形成在所述第1铜层的正上方；第2铜层，形成在所述第1金属层的正上方；及第2金属层，形成在所述第2铜层的正上方。其中，所述第1金属层和所述第2金属层由蚀刻速率与铜不同的金属形成，所述第1金属层的外周侧在所述第1铜层的侧面的外侧呈环状凸起，所述第2金属层的外周侧在所述第2铜层的侧面的外侧呈环状凸起。
本发明授权柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种柱状铜凸点，形成在半导体芯片的电极垫上，并具有： 第1铜层； 第1金属层，形成在所述第1铜层的正上方； 第2铜层，形成在所述第1金属层的正上方；及 第2金属层，形成在所述第2铜层的正上方， 其中， 所述第1金属层和所述第2金属层由相同的材料构成，该材料包括蚀刻速率小于铜的金属， 所述第1金属层的外周侧在所述第1铜层的侧面的外侧呈环状凸起， 所述第2金属层的外周侧在所述第2铜层的侧面的外侧呈环状凸起， 所述第1金属层和所述第2金属层的材料为Ni、Cr、Ti、Ta、Co、Au、Ag、Pt及Pd中的任意一种。
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