上海烨映微电子科技股份有限公司荆二荣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海烨映微电子科技股份有限公司申请的专利红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011059854.9，技术领域涉及：H01L23/04；该发明授权红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法是由荆二荣;徐德辉设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，该结构包括：具有焊垫的红外热电堆芯片；透红外光的第一基底，红外热电堆芯片粘合于第一基底的凹槽中；与第一基底键合的透红外光的第二基底；贯穿第二基底的金属连接柱，并与焊垫连接；形成于第二基底上的重新布线层，与金属连接柱电连接，且重新布线层具有开口区，开口区正对红外热电堆芯片的感光区；形成于重新布线层上的金属凸块。通过将多个红外热电堆芯片同时粘合于同一基底然后封装形成为扇出型晶圆级封装，大大减小了封装尺寸，节约封装成本；另外，第一基底及第二基底均采用可透红外光的材料，可实现封装体的双面透光，提高封装体的应用范围以及应用灵活性。
本发明授权红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括： 提供具有焊垫的红外热电堆芯片及透红外光的第一基底，并于所述第一基底中刻蚀出凹槽； 将所述红外热电堆芯片置于所述凹槽中并与所述第一基底粘合，所述红外热电堆芯片的厚度不大于所述凹槽的深度； 提供透红外光的第二基底，并与载有所述红外热电堆芯片的所述第一基底键合； 刻蚀所述第二基底，以形成裸露出所述焊垫的通孔，并于所述通孔中形成金属连接柱； 于所述第二基底上形成重新布线层，所述金属连接柱与所述重新布线层电连接，且所述重新布线层具有开口区，所述开口区正对所述红外热电堆芯片的感光区； 于所述重新布线层上形成金属凸块。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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