中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010997699.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;宋佳;张冬平设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括标记区和器件区；对部分所述标记区的所述衬底进行离子注入，在所述标记区内形成零层对准标记，所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，可以形成顶部表面与衬底的顶部表面齐平的零层对准标记，为后续半导体器件的形成工艺提供平坦的工艺平台，有利于提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括标记区和器件区； 零层对准标记，位于所述标记区的所述衬底内，且所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平，所述零层对准标记由对部分所述标记区的所述衬底进行离子注入形成； 鳍部，所述鳍部位于所述标记区和所述器件区的所述衬底上，位于标记区的所述鳍部位于所述零层对准标记两侧，所述鳍部的侧壁与所述零层对准标记的边界对齐，所述鳍部的底部表面高于所述零层对准标记的底部表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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