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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114167681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010949720.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法是由高亚新;沈泫;李忠生;游亚平设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法在说明书摘要公布了：一种缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法，其中缺陷检测方法包括：提供目标版图，所述目标版图中包括若干目标图形，若干所述目标图形均沿第二方向延伸；根据所述目标版图获取待修正图像，所述待修正图像中包括若干待修正图形，所述待修正图形与所述目标图形对应；根据所述目标版图对所述待修正图像进行检测，获取所述待修正图像中相邻的缺陷图形；获取相邻所述缺陷图形中的待修正区域。通过获取的所述待修正区域，为后续修正掩膜版及半导体结构的形成提供修正基础。

本发明授权缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括： 提供目标版图，所述目标版图中包括若干目标图形，若干所述目标图形均沿第二方向延伸； 根据所述目标版图获取待修正图像，所述待修正图像中包括若干待修正图形，所述待修正图形与所述目标图形对应； 根据所述目标版图对所述待修正图像进行检测，获取所述待修正图像中相邻的缺陷图形； 获取相邻所述缺陷图形中的待修正区域；其中， 相邻的所述缺陷图形包括：在第一方向上相邻的缺陷图形，所述第一方向与所述第二方向垂直； 获取所述待修正图像中所述缺陷图形的方法包括：获取所述目标版图中沿所述第一方向相邻的所述目标图形之间的若干第一目标间距；获取所述待修正图像中沿所述第一方向相邻的所述待修正图形之间的若干第一测量间距；对比所述第一目标间距与所述第一测量间距，若所述第一测量间距小于对应的所述第一目标间距，则对应的所述待修正图形为所述缺陷图形； 获取所述目标版图中沿所述第一方向相邻的所述目标图形之间的若干第一目标间距的方法包括：将沿所述第一方向相邻的所述目标图形沿所述第二方向分割为若干第一分割段；获取相邻所述目标图形中对应的所述第一分割段之间的距离，并作为所述第一目标间距。

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