恩智浦有限公司安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯获国家专利权
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龙图腾网获悉恩智浦有限公司申请的专利用于将波导结构耦合到集成电路封装的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010867704.4，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权用于将波导结构耦合到集成电路封装的方法和设备是由安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯;安东尼斯·J·M·德格拉乌;阿德里亚努斯·布伊斯曼;迈克尔·B·文森特设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于将波导结构耦合到集成电路封装的方法和设备在说明书摘要公布了：提供一种机构以减小波导天线与集成电路装置管芯中的传输和接收电路系统的距离。通过竖直接近IC装置管芯顶表面上的射频连接件来执行这种距离的减小。可以在封装的密封剂中形成腔以接近连接件，且电镀所述腔以执行屏蔽功能。将始于RF垫的连续连接用作竖直互连件。可用密封剂灌封材料填充所述竖直互连件周围的区域，并进行背面研磨以形成半导体装置封装的表面。可将波导天线馈线电镀或印刷在所述封装的所述表面上的所述竖直互连件上。
本发明授权用于将波导结构耦合到集成电路封装的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装，其特征在于，包括： 半导体装置管芯，所述半导体装置管芯包括在有源主表面上的一个或多个射频RF垫； 密封材料，所述密封材料在所述半导体装置管芯上方和周围； 一个或多个波导接触垫，所述一个或多个波导接触垫在所述密封材料的所述主表面上；以及 一个或多个天线馈线，所述一个或多个天线馈线形成于第一电磁屏蔽中的开口中并且在所述密封材料的主表面上，其中，所述第一电磁屏蔽形成于围绕天线馈线的模制化合物中，且以电气方式耦合到所述波导接触垫，所述第一电磁屏蔽延伸至所述密封材料的上方； 每个天线馈线具有在所述半导体装置管芯上的对应射频RF垫，且 每个天线馈线的至少一部分在所述对应射频RF垫的正上方；以及 竖直互连件，所述竖直互连件将每个射频RF垫耦合到对应的所述天线馈线，其中 所述竖直互连件包括通过增材制造形成的连续导体，且 每个连续导体通过所述密封材料竖直地安置。
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