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龙图腾网获悉杰华特微电子(杭州)有限公司申请的专利单向导通电路及应用其的开关电源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111600463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010522400.4，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权单向导通电路及应用其的开关电源是由林利瑜;毛卫军设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本单向导通电路及应用其的开关电源在说明书摘要公布了：本发明提出一种单向导通电路，应用于开关电源，供电电压通过所述单向导通电路给开关电源的驱动电路供电，所述单向导通电路包括两个开关管及其驱动电路，所述的两个开关管的体二极管反向串联；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，在所述的两个开关管的控制端分别给定驱动电压，以减小两个开关管的导通压降；所述开关电源包括上管和下管，所述上管和下管相连，供电电压通过所述单向导通电路给所述上管的驱动电路供电。本发明可以避免体二极管寄生效应带来的影响。

本发明授权单向导通电路及应用其的开关电源在权利要求书中公布了：1.一种单向导通电路，应用于开关电源，供电电压通过所述单向导通电路给开关电源的驱动电路供电，其特征在于：所述单向导通电路包括两个开关管及其驱动电路，所述的两个开关管的体二极管反向串联；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，在所述的两个开关管的控制端分别给定驱动电压，以减小两个开关管的导通压降； 所述开关电源包括上管和下管，所述上管和下管相连，供电电压通过所述单向导通电路给所述上管的驱动电路供电； 所述的两个开关管均为NMOS管，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，两个开关管的栅极连接所述单向导通电路的输入端；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，两个开关管的栅极驱动电压高于所述供电电压；或者， 所述的两个开关管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接PMOS管源极，PMOS管栅极连接其漏极和NMOS管源极；PMOS管源极连接单向导通电路的输入端，NMOS管漏极连接单向导通电路的输出端；或者， 所述的两个开关管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接其漏极和PMOS管源极，PMOS管栅极连接NMOS管源极；PMOS管漏极连接单向导通电路的输入端，NMOS管源极连接单向导通电路的输出端； 其中，所述的NMOS管的驱动电路包括第一电容， 若所述的两个开关管均为NMOS管，或者，所述的两个开关管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管，且当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接PMOS管源极，PMOS管栅极连接其漏极和NMOS管源极；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，所述第一电容高电位端接收供电电压，所述第一电容上的电压为第一电压；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述第一电容低电位端接收供电电压，所述第一电容高电位端连接所述的NMOS管的栅极； 若所述的两个开关管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管，且当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接其漏极和PMOS管源极，PMOS管栅极连接NMOS管源极；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，所述第一电容高电位端连接所述的两个开关管的公共连接端，所述第一电容上的电压为第一电压；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述第一电容低电位端连接所述的两个开关管的公共连接端，所述第一电容高电位端连接所述的NMOS管的栅极。

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