三星电子株式会社林璇渶获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储器模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112052195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010499778.7，技术领域涉及：G06F12/0804；该发明授权存储器模块是由林璇渶设计研发完成，并于2020-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器模块在说明书摘要公布了：提供了一种支持DRAM高速缓存模式的非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM以及NVDIMM的操作方法。该NVDIMM包括DRAM芯片、NVM芯片、和控制器，该控制器控制该DRAM芯片作为该NVM芯片的高速缓存存储器操作。控制器在DRAM芯片的读取等待时间RL和NVM芯片的写入等待时间WL彼此相一致时参考被请求从主机写入NVM芯片的数据的高速缓存地址而将读取命令发送到DRAM芯片，并参考被请求写入的数据的地址而将写入命令发送到NVM芯片。
本发明授权存储器模块在权利要求书中公布了：1.一种存储器模块，包括： 第一内部数据线； 第二内部数据线； 易失性存储器芯片，连接到所述第一内部数据线； 非易失性存储器芯片，连接到所述第二内部数据线； 控制器，经由所述第一内部数据线和所述第二内部数据线连接到所述易失性存储器芯片和所述非易失性存储器芯片，所述控制器被配置为：在第一时间将与所述易失性存储器芯片的第一数据相关的第一命令施加到所述易失性存储器芯片，并在第二时间将与所述非易失性存储器芯片的第二数据相关的第二命令施加到所述非易失性存储器芯片，其中，所述第二时间与所述第一时间不同；和 数据缓冲器，经由所述第一内部数据线连接到所述易失性存储器芯片和控制器， 其中，所述控制器还被配置为：在所述第一命令的第一等待时间和所述第二命令的第二等待时间彼此相一致的时间点，控制所述易失性存储器芯片和所述非易失性存储器芯片，以： 将所述第一数据从所述易失性存储器芯片移动到所述非易失性存储器芯片，或者 将所述第二数据从所述非易失性存储器芯片移动到所述易失性存储器芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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