买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利固态摄像元件和固态摄像元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113841229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080036476.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权固态摄像元件和固态摄像元件的制造方法是由舍川进设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本固态摄像元件和固态摄像元件的制造方法在说明书摘要公布了：本固态摄像元件设置有：光电二极管；包括浮动扩散部的半导体基板；电容器，具有布置在与所述光电二极管的所述光入射表面相反的表面上的PD侧电极，和隔着介电膜面向所述PD侧电极的反PD侧电极；放大晶体管；用于连接所述浮动扩散部和所述放大晶体管的FD侧配线电极。所述PD侧电极的至少一部分和所述FD侧配线电极以沿所述半导体基板的厚度方向延伸的形状形成在所述半导体基板中。内部形成有所述PD侧电极的至少一部分的第一接触孔的一端和内部形成有所述FD侧配线电极的第二接触孔的一端位于所述半导体基板的与所述光电二极管一侧相反的表面上。

本发明授权固态摄像元件和固态摄像元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.固态摄像元件，所述固态摄像元件包括： 半导体基板，所述半导体基板包括光电二极管和浮动扩散部，所述光电二极管被构造用于对入射的光进行光电转换，并且累积在所述光电二极管中的信号电荷被传输至所述浮动扩散部，其中，所述半导体基板包括： 第一半导体基板，所述第一半导体基板中设置有包括所述光电二极管和所述浮动扩散部的像素电路，以及 第二半导体基板，所述第二半导体基板层叠在所述第一半导体基板的与所述光电二极管一侧相反的一侧的表面上； 电容器，所述电容器包括： 第一电容器部，所述第一电容器部形成在预先限定在所述第一半导体基板中的第一电容器区域中，以及 第二电容器部，所述第二电容器部设置在所述第一电容器部的与所述光电二极管一侧相反的一侧的表面上并且设置在所述第二半导体基板中， 其中，所述第一电容器部包括设置在所述第一电容器区域中的所述光电二极管的与所述光入射的表面相反的表面上的第一电极，以及隔着第一介电膜面对着所述第一电极的第二电极，所述第一电极和所述第二电极将所述第一介电膜夹在中间， 所述第二电容器部包括： 柱状的第三电极，所述第三电极形成在第一接触孔内，所述 第三电极的一端连接到所述第二电极， 第二介电膜，所述第二介电膜覆盖所述第三电极的除了所述 第三电极与所述第二电极之间的连接部分之外的部分，以及 第四电极，所述第四电极隔着所述第二介电膜面对着所述第三电极，所述第二介电膜被夹在所述第三电极与所述第四电极之间； 放大晶体管，所述放大晶体管读取作为电信号而被传输到所述浮动扩散部的所述信号电荷并放大所述信号电荷；以及 FD侧配线电极，所述FD侧配线电极连接所述浮动扩散部和所述放大晶体管，其中， 所述第三电极的至少一部分和所述FD侧配线电极以沿所述第二半导体基板的厚度方向延伸的形状形成在所述第二半导体基板中，并且 内部形成有所述第三电极的至少一部分的所述第一接触孔的一端和内部形成有所述FD侧配线电极的第二接触孔的一端均位于所述第二半导体基板的与所述光电二极管一侧相反的一侧的表面上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。