三星电子株式会社李承宪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010122476.8，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件是由李承宪;金汶浚;高在康;韩太钟设计研发完成，并于2020-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件在说明书摘要公布了：提供了使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成至少覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。
本发明授权制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上形成蚀刻目标层； 在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案； 形成填充所述热可分解图案之间的空间并覆盖所述热可分解图案的顶表面的第一掩模层； 通过加热方法去除所述热可分解图案；以及 在去除所述热可分解图案之后去除所述第一掩模层的上部以形成第一掩模图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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