三星电子株式会社金志永获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910827503.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置及其制造方法是由金志永;金大元;李东镇设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器装置及其制造方法。该器件可包括：包括单元阵列区域的第一衬底；覆盖第一衬底的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层上的第二衬底，该第二衬底包括电连接到单元阵列区域的芯区域；第一粘合绝缘层，插入在第一层间绝缘层和第二衬底之间；以及接触插塞，穿透第二衬底、第一粘合绝缘层和第一层间绝缘层并将单元阵列区域与芯区域电连接。
本发明授权半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 第一衬底，其包括单元阵列区域； 第一层间绝缘层，其覆盖所述第一衬底的顶表面； 第二衬底，其设置在所述第一层间绝缘层上，所述第二衬底包括电连接到所述单元阵列区域的芯区域； 第一粘合绝缘层，其插入在所述第一层间绝缘层和所述第二衬底之间；以及 第一接触插塞和第二接触插塞，其穿透所述第二衬底、所述第一粘合绝缘层和所述第一层间绝缘层并将所述单元阵列区域与所述芯区域电连接， 其中，所述第一接触插塞的底表面位于所述第一衬底的顶表面上方，所述第二接触插塞的底表面位于所述第一衬底的顶表面下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号