武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种硅光芯片及芯片级测试用光纤阵列、测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120405852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510864719.8，技术领域涉及：G02B6/27；该发明授权一种硅光芯片及芯片级测试用光纤阵列、测试方法是由方文银;严雄武;彭开盛设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅光芯片及芯片级测试用光纤阵列、测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅光芯片，其在同一侧具有一个第一输入波导、多个第一输出波导以及Loop环路；Loop环路具有一个第二输入波导以及一个第二输出波导，第二输入波导分90%的光向MPD以及分10%的光向第二输出波导。一种芯片级测试用光纤阵列，其具备第一保偏光纤、第三保偏光纤、多模光纤以及四根第二保偏光纤，第一保偏光纤对应硅光芯片中的第一输入波导，第三保偏光纤对应硅光芯片中的第二输入波导，多模光纤对应硅光芯片中的第二输出波导，四根第二保偏光纤分别对应硅光芯片中的四个第一输出波导。有益效果为：可以大幅度加快芯片测试速度，由于芯片面积和MPD数量未增加，不会额外增加芯片成本。
本发明授权一种硅光芯片及芯片级测试用光纤阵列、测试方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片，其特征在于，其在同一侧具有一个第一输入波导110、多个第一输出波导120以及Loop环路，所述第一输入波导110分部分光向MPD150，其它光以等比形式分向多个第一输出波导120；所述Loop环路具有一个第二输入波导130以及一个第二输出波导140，所述第二输入波导130分90％的光向MPD150以及分10％的光向第二输出波导140；所述第一输入波导110、第一输出波导120、第二输入波导130以及第二输出波导140宽度尺寸均为6μm±0.5μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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