上海安其威微电子科技有限公司石城毓获国家专利权
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龙图腾网获悉上海安其威微电子科技有限公司申请的专利射频芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120300105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510786985.3，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权射频芯片封装结构是由石城毓;战吉超设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频芯片封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及射频芯片封装结构，包括基板，基板包括多个导电层，相邻导电层之间为介质层，导电层包括介质材料以及导电结构，介质层中具有过孔，过孔的两端连接导电结构；基板的表面具有射频焊盘和电源焊盘，射频焊盘上具有射频连接柱，电源焊盘上具有电源连接柱，射频连接柱用于与射频芯片电连接，电源连接柱用于与电源电连接；第一屏蔽结构，包括位于射频芯片与基板之间的至少一个接地连接柱，并且射频连接柱与电源连接柱之间具有至少一个接地连接柱；和或第二屏蔽结构，包括顶层的导电层中接地的第一导电区域，第一导电区域位于射频连接柱、电源连接柱之间的区域，且与射频连接柱、电源连接柱之间通过介质材料绝缘。
本发明授权射频芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种毫米波射频芯片封装结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板包括多个导电层，相邻导电层之间为介质层，所述导电层包括介质材料以及导电结构，所述介质层中具有过孔，所述过孔的两端连接导电结构； 所述基板的表面具有射频焊盘和电源焊盘，所述射频焊盘上具有射频连接柱，电源焊盘上具有电源连接柱，所述射频连接柱用于与毫米波射频芯片电连接，所述电源连接柱用于与电源电连接； 第一屏蔽结构，包括位于所述射频芯片与所述基板之间的至少一个接地连接柱，并且所述射频连接柱与所述电源连接柱之间具有至少一个所述接地连接柱；和或 第二屏蔽结构，包括顶层的所述导电层中接地的第一导电区域，所述第一导电区域位于所述射频连接柱、电源连接柱之间的区域，且与所述射频连接柱、电源连接柱之间通过介质材料绝缘。
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